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High Voltage MOSFET
N-Channel, Depletion Mode
Preliminary Data Sheet
IXTP 02N50D
IXTU 02N50D
IXTY 02N50D
V DSS = 500 V
I D25 = 200 mA
R DS(on) = 30 Ω
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-220 (IXTP)
V DSX
V DGX
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C
500
500
V
V
V GS
V GSM
I DSS
Continuous
Transient
T C = 25°C; T J = 25°C to 150°C
± 20
± 30
200
V
V
mA
GD
S
D (TAB)
I DM
P D
T J
T C = 25°C, pulse width limited by T J
T C = 25°C
T A = 25°C
800
25
1.1
-55 ... +150
mA
W
W
°C
TO-251 (IXTU)
T JM
T stg
150
-55 ... +150
°C
°C
G
D
S
D (TAB)
T L
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
300
°C
T ISOL
Plastic case for 10 s (IXTU)
300
°C
TO-252 (IXTY)
M d
Weight
Mounting torque
TO-220
TO-220
1.3 / 10
4
Nm/lb.
g
TO-251
TO-252
0.8
0.8
g
g
G
S
D (TAB)
Pins: 1 - Gate 2 - Drain
3 - Source TAB - Drain
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
min. typ. max.
Features
Normally ON mode
V DSX
V GS = -10 V, I D = 25 μ A
500
V
Low R DS (on) HDMOS TM process
V GS(off)
I GSS
I DSX(off)
V DS = 25V, I D = 25 μ A
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS , V GS = -10 V
T J = 125 ° C
-2.5
-5
± 100
10
250
V
nA
μ A
μ A
Rugged polysilicon gate cell structure
Fast switching speed
Applications
Level shifting
R DS(on)
I D(on)
V GS = 0 V, I D = 50 mA
V GS = 0 V, V DS = 25V
Note 1
Note 1
20
250
30
Ω
mA
Triggers
Solid state relays
Current regulators
? 2006 IXYS All rights reserved
98861A (01/06)
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